XPJR6604PB,LXHQ

Toshiba
757-XPJR6604PBLXHQ
XPJR6604PB,LXHQ

Produc.:

Opis:
MOSFETs 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Toshiba XPJR6604PB,LXHQ

Na stanie magazynowym: 3 360

Stany magazynowe:
3 360 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
9,12 zł 9,12 zł
5,63 zł 56,30 zł
5,12 zł 512,00 zł
5,07 zł 2 535,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
4,47 zł 6 705,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Toshiba
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
530 uOhms
- 20 V, 20 V
3 V
128 nC
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Toshiba
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 54 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 42 ns
Wielkość opakowania producenta: 1500
Podkategoria: Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 152 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 73 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

L-TOGL & S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N-Ch MOSFETs

Toshiba L-TOGL and S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N-Channel MOSFETs deliver ultra-low on-resistance, a high drain current rating, and high heat dissipation. This is achieved by combining high heat dissipation packages [L-TOGL (large transistor outline gull-wing leads) and S-TOGL (small transistor outline gull-wing leads)] with the U-MOS IX-H and U-MOS X-H chip processes. Toshiba L-TOGL and S-TOGL MOSFETs also offer high current capability and high heat dissipation to help improve power density in a wide variety of automotive applications. The L-TOGL package is equivalent in size to the existing TO-220SM(W) package. However, XPQR3004PB greatly improves the current rating and significantly lowers the on-resistance to 0.23mΩ typical. L-TOGLs optimized package footprint also helps improve thermal characteristics when compared to the same-sized TO-220SM(W) package.

U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.