Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

ISC030N12NM6ATMA1

Name: Infineon ISC030N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC030N12NM6ATMA
Price: 18.71 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-ISC030N12NM6ATMA

Nr prod.:

ISC030N12NM6ATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs IFX FET >100-150V

Karta charakterystyki:

ISC030N12NM6ATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies ISC030N12NM6ATMA1

Na stanie magazynowym: 2 215

Stany magazynowe:: 2 215

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 5 000

Oczekiwane: 16.04.2026
Średni czas produkcji:: 52

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	18,71 zł	18,71 zł
	12,21 zł	122,10 zł
	10,19 zł	1 019,00 zł
	9,93 zł	4 965,00 zł
	9,89 zł	9 890,00 zł
	9,85 zł	24 625,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	7,65 zł	38 250,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TSON-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	120 V
Id – Ciągły prąd drenu:	194 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.6 V
Qg – ładunek bramki:	59 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	250 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	OptiMOS
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Czas zanikania:	8.8 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	55 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	7.6 ns
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	12 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12 ns
Nazwy umowne nr części:	ISC030N12NM6 SP005578327

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

ISC030N12NM6ATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tranzystory mocy MOSFET OptiMOS™ 6

Tranzystory mocy MOSFET OptiMOS™ 6 firmy Infineon Technologies oferują najnowocześniejsze innowacje nowej generacji oraz najlepszą w swojej klasie wydajność. Rodzina OptiMOS 6 wykorzystuje technologię produkcji z cienkich wafli, co zapewnia istotne korzyści w zakresie wydajności. W porównaniu do produktów alternatywnych tranzystory mocy MOSFET OptiMOS 6 oferują niższą o 30% rezystancję R_DS(ON) i są zoptymalizowane pod kątem synchronicznej rektyfikacji.