Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IMZC120R012M2HXKSA1

Name: Infineon IMZC120R012M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZC120R012M2HXK
Price: 85.87 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IMZC120R012M2HXK

Nr prod.:

IMZC120R012M2HXKSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IMZC120R012M2HXKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IMZC120R012M2HXKSA1

Na stanie magazynowym: 664

Stany magazynowe:: 664 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	85,87 zł	85,87 zł
	70,26 zł	702,60 zł
	62,05 zł	6 205,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	129 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	12 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5.1 V
Qg – ładunek bramki:	124 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	CoolSiC
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	11.7 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	38 S
Opakowanie:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	8.6 ns
Seria:	1200V G2
Wielkość opakowania producenta:	240
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Rodzaj:	SiC MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	21 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9.5 ns
Nazwy umowne nr części:	IMZC120R012M2H SP006031758

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IMZC120R012M2HXKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.