Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IMT40R011M2HXTMA1

Name: Infineon IMT40R011M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT40R011M2HXTMA
Price: 56.07 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IMT40R011M2HXTMA

Nr prod.:

IMT40R011M2HXTMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IMT40R011M2HXTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IMT40R011M2HXTMA1

Na stanie magazynowym: 996

Stany magazynowe:: 996 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	56,07 zł	56,07 zł
	43,39 zł	433,90 zł
	40,16 zł	4 016,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	35,17 zł	70 340,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSOF-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	400 V
Id – Ciągły prąd drenu:	144 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	16.3 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	85 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	429 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	9.3 ns
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	18.3 ns
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj:	G2 MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	29.8 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15.8 ns
Nazwy umowne nr części:	IMT40R011M2H SP005915790

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IMT40R011M2HXTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.