Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Name: Infineon F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F3L8MR12W2M1HPB1
Price: 400.98 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-F3L8MR12W2M1HPB1

Nr prod.:

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFET Modules 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module

Karta charakterystyki:

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Na stanie magazynowym: 25

Stany magazynowe:: 25 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 8 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	400,98 zł	400,98 zł
	380,64 zł	3 806,40 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	M1H
Opakowanie:	Tray
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	3-Phase Inverter
Produkt:	SiC IGBT Modules
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Wielkość opakowania producenta:	18
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Nazwa handlowa:	EasyPACK CoolSiC
Nazwy umowne nr części:	F3L8MR12W2M1HP_B11 SP005562921

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.

Reliable & Efficient Power Supply for Data Centers

Infineon Technologies Reliable and Efficient Power Supply for Data Centers are scalable solutions with power ratings from approximately 5kW to 50/60kW. This Infineon solution is ideal for uninterruptible power supplies (UPS) that require high power density and energy efficiency. These modules leverage various chip technologies, including Si IGBT, CoolSiC™ hybrid, and CoolSiC MOSFET, to meet diverse requirements for cost-effectiveness and performance. Infineon's portfolio addresses all system levels of a UPS with different voltage classes, and are set to expand offerings to include lower power rating classes.

1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.