Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

F3L75R12W1H3B11BPSA1

Name: Infineon F3L75R12W1H3B11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F3L75R12W1H3B11B
Price: 135.15 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-F3L75R12W1H3B11B

Nr prod.:

F3L75R12W1H3B11BPSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module

Karta charakterystyki:

F3L75R12W1H3B11BPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies F3L75R12W1H3B11BPSA1

Na stanie magazynowym: 6

Stany magazynowe:: 6

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 24

Oczekiwane: 13.02.2026
Średni czas produkcji:: 10

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	135,15 zł	135,15 zł
	93,01 zł	930,10 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Screw Mount
Konfiguracja:	Quad
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	1.2 kV
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.45 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	75 A
Pd – strata mocy:	275 W
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	High Speed IGBT H3
Opakowanie:	Tray
Marka:	Infineon Technologies
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	24
Podkategoria:	IGBTs
Nazwa handlowa:	EasyPACK
Nazwy umowne nr części:	F3L75R12W1H3_B11 SP001355698
Jednostka masy:	24 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Reliable & Efficient Power Supply for Data Centers

Infineon Technologies Reliable and Efficient Power Supply for Data Centers are scalable solutions with power ratings from approximately 5kW to 50/60kW. This Infineon solution is ideal for uninterruptible power supplies (UPS) that require high power density and energy efficiency. These modules leverage various chip technologies, including Si IGBT, CoolSiC™ hybrid, and CoolSiC MOSFET, to meet diverse requirements for cost-effectiveness and performance. Infineon's portfolio addresses all system levels of a UPS with different voltage classes, and are set to expand offerings to include lower power rating classes.

EasyPACK™ 1B IGBT Power Modules

Infineon Technologies EasyPACK™ 1B IGBT Power Modules are a scalable power module solution with a flexible pin grid system perfect for customizing layout and pinout. The packages are without a base plate enabling use in various applications. The Infineon EasyPACK 1B IGBT power modules cover the full power range from 20A up to 100A at 600V/650V/1200V in PIM or Six-Pack configurations. These modules offer a 135W to 275W power dissipation range and operate from -40°C up to +150°C or +175°C.

1200V 3-level IGBT Modules

Infineon Technologies 1200V 3-level IGBT Modules deliver electrical performance and high reliability without limiting the design flexibility. The IGBT modules cover a range from only hundreds of watts to several megawatts. The 1200V IGBT Modules are designed for 3-level-applications.