Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

6ED2230S12TXUMA1

Name: Infineon 6ED2230S12TXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-6ED2230S12TXUMA1
Price: 15.14 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-6ED2230S12TXUMA1

Nr prod.:

6ED2230S12TXUMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

Gate Drivers 1200V, 0.65A 3-Phase BSD, OCP, EN & FAUL

Karta charakterystyki:

6ED2230S12TXUMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 61

Stany magazynowe:: 61

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 2 000

Oczekiwane: 23.02.2026
Średni czas produkcji:: 19

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	15,14 zł	15,14 zł
	11,48 zł	114,80 zł
	10,54 zł	263,50 zł
	9,55 zł	955,00 zł
	9,07 zł	2 267,50 zł
	8,77 zł	4 385,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	8,47 zł	8 470,00 zł
	8,13 zł	16 260,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Sterowniki bramki
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Rodzaj:	High-Side, Low-Side
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DSO-24
Liczba sterowników:	6 Driver
Liczba wyjść:	6 Output
Prąd wyjścia:	650 mA
Napięcie zasilania – min.:	13 V
Napięcie zasilania – max.:	20 V
Konfiguracja:	Inverting
Czas narastania:	35 ns
Czas zanikania:	20 ns
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Seria:	Infineon SOI
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Rodzaj logiki:	CMOS
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia:	600 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia:	600 ns
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Prąd roboczy zasilania:	175 uA
Pd – strata mocy:	1.3 W
Rodzaj produktu:	Gate Drivers
Czas propagacji – max.:	900 ns
Zakończenie pracy:	Shutdown
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	PMIC - Power Management ICs
Technologia:	Si
Nazwa handlowa:	EiceDRIVER
Nazwy umowne nr części:	6ED2230S12T SP001656578
Jednostka masy:	807,300 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

6ED2230S12TXUMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

1200V Level-Shift Gate Drivers

Infineon 1200V Level-Shift Gate Drivers for Industrial Drives include 3-phase, half-bridge, and high and low side drivers suitable for IGBTs or MOSFETs. The 6ED2230S12T 3-phase 1200V SOI driver with integrated Bootstrap Diode (BSD) and overcurrent protection utilizes Infineon's unique Silicon-on-Insulator (SOI) level-shift technology. The 6ED2230S12T provides functional isolation with industry-leading negative VS robustness. It also provides reduced level-shift losses with the integrated bootstrap diode enabling a lower bill of material cost and smaller PCB footprint.

6ED223xS12T EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon Technologies 6ED223xS12T EiceDRIVER™ Level Shift Gate Driver ICs are high voltage (up to 1200V), high-speed insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) with three independent high-side and low-side referenced output channels for three-phase applications. Proprietary HVIC and latch-immune CMOS technologies enable a ruggedized monolithic construction. Logic input is compatible with standard CMOS or TTL outputs, down to 3.3V logic. This resistor can also derive an over‐current protection (OCP) function that terminates all six outputs.