1EDN7136UXTSA1

Infineon Technologies
726-1EDN7136UXTSA1
1EDN7136UXTSA1

Produc.:

Opis:
Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 8 090

Stany magazynowe:
8 090 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
39 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
2,66 zł 2,66 zł
1,90 zł 19,00 zł
1,71 zł 42,75 zł
1,49 zł 149,00 zł
1,39 zł 347,50 zł
1,33 zł 665,00 zł
1,28 zł 1 280,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 4500)
1,22 zł 5 490,00 zł
1,17 zł 10 530,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Driver ICs - Various
High-Side
SMD/SMT
TSNP-7
1 Driver
1 Output
1 A
4.2 V
11 V
Non-Inverting
5.5 ns
5.5 ns
- 40 C
+ 125 C
1EDN7136
Reel
Cut Tape
Marka: Infineon Technologies
Napięcie wejściowe – maks.: 11 V
Napięcie wejściowe – min.: 4.2 V
Rodzaj logiki: CMOS
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia: 109 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia: 109 ns
Prąd roboczy zasilania: 2.6 mA
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Czas propagacji – max.: 109 ns
Wielkość opakowania producenta: 4500
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: GaN
Nazwy umowne nr części: 1EDN7136U SP005538839
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

1EDN71x6U 200V High-Side TDI Gate Driver

Infineon Technologies 1EDN71x6U 200V High-Side TDI Gate Drivers are single-channel gate-driver IC optimized for driving Infineon CoolGaN™ Schottky Gate HEMTs, as well as other GaN SG HEMTs and Si MOSFETs. This gate driver includes several key features that enable a high-performance system design with GaN SG HEMTs, including Truly Differential Input, four driving strength options, an active Miller clamp, and a bootstrap voltage clamp.