1ED21271S65FXUMA1

Infineon Technologies
726-1ED21271S65FXUMA
1ED21271S65FXUMA1

Produc.:

Opis:
Gate Drivers 650V high-side gate driver

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Infineon Technologies 1ED21271S65FXUMA1

Na stanie magazynowym: 2 373

Stany magazynowe:
2 373 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
8,60 zł 8,60 zł
5,55 zł 55,50 zł
4,95 zł 123,75 zł
4,11 zł 411,00 zł
3,84 zł 960,00 zł
3,36 zł 1 680,00 zł
2,92 zł 2 920,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
2,65 zł 6 625,00 zł
2,53 zł 18 975,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Gate Drivers
High-Side
SMD/SMT
PG-DSO-8
1 Driver
1 Output
4 A
25 V
Inverting
12 ns
12 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Marka: Infineon Technologies
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia: 80 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia: 80 ns
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Prąd roboczy zasilania: 270 uA
Napięcie wyjścia: 460 mV
Pd – strata mocy: 625 mW
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Czas propagacji – max.: 410 ns
Rds On – rezystancja dren–źródło: 50 Ohms
Zakończenie pracy: Shutdown
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: Si
Nazwa handlowa: EiceDRIVER
Nazwy umowne nr części: 1ED21271S65F SP005826767
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V High-Side Gate Drivers

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V High-Side Gate Drivers are designed to provide robust and efficient control for high-voltage power transistors. These Infineon gate drivers feature a high-side driver architecture that supports a wide range of applications, including motor drives, solar inverters, and industrial power supplies. With a maximum voltage rating of 650V, the 1ED21x7x series ensures reliable operation in demanding environments. Key features include integrated bootstrap diodes, fast switching capabilities, and comprehensive protection mechanisms such as undervoltage lockout (UVLO) and overcurrent protection. These attributes make the EiceDRIVER™ 1ED21x7x series an ideal choice for enhancing the performance and reliability of high-voltage power systems.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.