EPC2361

Name: EPC EPC2361
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2361
Price: 36.26 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

65-EPC2361

Nr prod.:

EPC2361

Produc.:

EPC

Opis:

GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Cykl życia:

Nowości w Mouser

Karta charakterystyki:

EPC2361 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o EPC EPC2361

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	EPC
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	QFN-7
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	133 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 4 V, 6 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	28 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	eGaN FET
Technologia:	GaN
Marka:	EPC
Konfiguracja:	Single
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	Power Transistor
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Jednostka masy:	35,200 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

EPC2361 Karta charakterystyki (PDF)

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Malezja
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

EPC

EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

Dowiedz się więcej

EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

Dowiedz się więcej

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

Dowiedz się więcej

Zobacz wszystkie najnowsze produkty od EPC

Na stanie magazynowym: 11 735

Stany magazynowe:: 11 735

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 18 000

Oczekiwane: 18.02.2027
Średni czas produkcji:: 18

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	36,26 zł	36,26 zł
	19,98 zł	199,80 zł
	18,39 zł	1 839,00 zł
	17,25 zł	8 625,00 zł
	15,80 zł	15 800,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	14,74 zł	44 220,00 zł

EPC2361

Udostępnij to

Produc.: EPC

Opis: GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Specyfikacja

Dokumenty (1)

Karta charakterystyki

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY EPC

Na stanie magazynowym: 11 735

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

EPC

Opis:

GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

EPC