LMG3100R017VBER

Texas Instruments
595-LMG3100R017VBER
LMG3100R017VBER

Produc.:

Opis:
Gate Drivers 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 3 314

Stany magazynowe:
3 314
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
2 500
Oczekiwane: 26.02.2026
Średni czas produkcji:
18
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
53,75 zł 53,75 zł
40,85 zł 408,50 zł
39,17 zł 979,25 zł
34,49 zł 3 449,00 zł
32,81 zł 8 202,50 zł
30,70 zł 15 350,00 zł
28,64 zł 28 640,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
28,64 zł 71 600,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-FCRLF-15
1 Driver
1 Output
8 A
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 175 C
LMG3100R017
Reel
Cut Tape
Marka: Texas Instruments
Napięcie wejściowe – maks.: 5.25 V
Napięcie wejściowe – min.: 4.75 V
Rodzaj logiki: TTL
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Prąd roboczy zasilania: 170 uA
Napięcie wyjścia: 12 V
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Rds On – rezystancja dren–źródło: 1.7 mOhms
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: GaN
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG3100R0x GaN FETs with Integrated Drivers

Texas Instruments LMG3100R0x Gallium Nitride (GaN) FETs with Integrated Drivers are 1.7mΩ GaN FETs and drivers with a high-side level shifter and bootstrap. Two LGM3100 devices can be used to form a half-bridge with no external level shifter required. The GaN FET and driver components feature built-in supply rail under-voltage lock-out (UVLO) protection and internal bootstrap supply voltage clamping capability to prevent overdrive (>5.4V). Texas Instruments LMG3100R0x offers low power consumption and an improved user interface. The LMG3100R017 is an ideal solution for high-frequency, high-efficiency applications, including buck-boost converters, LLC converters, solar inverters, telecom, motor drives, power tools, and Class D audio amplifiers.