SCTWA70N120G2V-4
Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu
Zobacz specyfikację produktu
511-SCTWA70N120G2V-4
SCTWA70N120G2V-4
Produc.:
Opis:
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki:
Na stanie magazynowym: 28
-
Stany magazynowe:
-
28 Wysylamy natychmiastWystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
-
Średni czas produkcji:
-
17 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 28 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Cennik (PLN)
| Il. | Cena jednostkowa |
wewn. Cena
|
|---|---|---|
| 109,13 zł | 109,13 zł | |
| 79,59 zł | 795,90 zł |
Podobny produkt
STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
- TARIC:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
