2N3904TA Tranzystory bipolarne - BJT

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Maksymalny prąd DC kolektora
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie kolektor-baza VCBO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Wzmacniacze GBP fT
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
22 500Na stanie magazynowym
20 000Oczekiwane: 09.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 4 000
: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Ammo Pack
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
9 907Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 2 000
: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Ammo Pack
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
89 819Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 2 000
: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Reel, Cut Tape
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
198 870Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 5 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Bulk
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN 40V 200mA
Karta charakterystyki
22 904Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 2 000
: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Reel, Cut Tape