2N3904TA Tranzystory bipolarne - BJT

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Maksymalny prąd DC kolektora
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie kolektor-baza VCBO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Wzmacniacze GBP fT
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
36 334Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Ammo Pack
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
14 117Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Ammo Pack
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
116 356Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Reel, Cut Tape
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
88 108Na stanie magazynowym
70 000Oczekiwane: 09.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Bulk
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN 40V 200mA
Karta charakterystyki
16 605Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Reel, Cut Tape