Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

GP3T080A120H

Name: SemiQ GP3T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T080A120H
Price: 18.32 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

148-GP3T080A120H

Nr prod.:

GP3T080A120H

Produc.:

SemiQ

Opis:

SiC MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

GP3T080A120H Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o SemiQ GP3T080A120H

Na stanie magazynowym: 90

Stany magazynowe:: 90 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	18,32 zł	18,32 zł
	14,15 zł	141,50 zł
	10,19 zł	1 222,80 zł
	8,47 zł	4 319,70 zł
	8,43 zł	8 598,60 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	SemiQ
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4L
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	70 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	100 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	53 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	147 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	SemiQ
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	9 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	6 S
Opakowanie:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	4 ns
Seria:	GP3T
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Rodzaj:	SiC MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	19 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	13 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

GP3T080A120H Karta charakterystyki (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Dyskretne urządzenia MOSFET SiC 1200 V GEN3

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.