Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

GCMS008C120S1-E1

Name: SemiQ GCMS008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS008C120S1-E1
Price: 170.02 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

148-GCMS008C120S1-E1

Nr prod.:

GCMS008C120S1-E1

Produc.:

SemiQ

Opis:

MOSFET Modules Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

GCMS008C120S1-E1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o SemiQ GCMS008C120S1-E1

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 8 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	170,02 zł	170,02 zł
	147,71 zł	1 477,10 zł
	129,17 zł	15 500,40 zł
25 020	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	SemiQ
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SOT-227-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	189 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	12 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	536 W
Seria:	GCMS
Opakowanie:	Tube
Marka:	SemiQ
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	34 ns
Wysokość:	12.19 mm
If – prąd przewodzenia diody:	176 A
Długość:	38.1 mm
Produkt:	Power Modules
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	35 ns
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	SiC MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	91 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	37 ns
Vf – Napięcie przewodzenia:	2.03 V
Szerokość:	25.3 mm

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

GCMS008C120S1-E1 Karta charakterystyki (PDF)

Moduły zasilania MOSFET SiC 1200–V GEN3

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.