GaN Półprzewodniki

Wyniki: 801
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Karta charakterystyki
675Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Analog Devices RF Amplifier 1-22GHz 15W PA
Karta charakterystyki
7Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Karta charakterystyki
1 901Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
Karta charakterystyki
800Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

EPC Gate Drivers Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
Karta charakterystyki
1 806Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 21.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Karta charakterystyki
2 091Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Karta charakterystyki
3 606Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Infineon Technologies GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
Karta charakterystyki
2 352Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FETs 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
Karta charakterystyki
2 371Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FETs 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
Karta charakterystyki
2 082Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
Karta charakterystyki
2 678Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Bidirectional Switch
Karta charakterystyki
2 767Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000
Power Integrations AC/DC Converters 20 W (85-580 VAC)
Karta charakterystyki
1 440Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Power Integrations AC/DC Converters 35 W (85-580 VAC)
Karta charakterystyki
1 592Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

onsemi NCP1568G04DBR2G
onsemi AC/DC Converters ACTIVE CLAMP FLYBACK
Karta charakterystyki
2 418Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Texas Instruments Gate Drivers 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
Karta charakterystyki
1 600Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Karta charakterystyki
679Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Karta charakterystyki
1 980Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Karta charakterystyki
2 087Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Drive HB 600 V G5
Karta charakterystyki
3 056Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Bidirectional Switch
Karta charakterystyki
2 970Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000
Texas Instruments Gate Drivers 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri
Karta charakterystyki
2 942Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
Karta charakterystyki
5 528Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 21.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
Karta charakterystyki
9 006Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Karta charakterystyki
3 920Na stanie magazynowym
1 800Oczekiwane: 23.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800