PSRAM (Pseudo SRAM) Półprzewodniki

Rodzaje półprzewodników

Zmień widok kategorii
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24 200Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR 508Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RA6M RZ/A SoC) 284Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, USON8 2 903Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 10 000

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb 2 170Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 127

Alliance Memory DRAM 128M 8Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT 462Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 394Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 2 379Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 5
Szpula: 2 500

AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
9 058Oczekiwane: 04.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 37

AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed 8 730Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1 887Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 817Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 353

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed 3 668Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 170Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 13

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 148Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 24

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 159Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 15

AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed 354Na stanie magazynowym
2 880Oczekiwane: 20.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 701Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 200

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 431Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp., SOP8 79Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL 240Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 36

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24
9 290Oczekiwane: 04.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP
4 975Oczekiwane: 28.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
3 631Oczekiwane: 20.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1