PSRAM (Pseudo SRAM) Półprzewodniki

Rodzaje półprzewodników

Zmień widok kategorii
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, USON8 2 900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) 842Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 86Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 2 337Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24 475Na stanie magazynowym
4 320Oczekiwane: 21.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed 3 248Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed 953Na stanie magazynowym
4 800Oczekiwane: 28.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1 908Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 1 649Na stanie magazynowym
4 800Oczekiwane: 18.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1 775Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 900Na stanie magazynowym
800Oczekiwane: 02.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 135Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed 42Na stanie magazynowym
19 200Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 134Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8 131Na stanie magazynowym
100Oczekiwane: 23.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb 1 669Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp., SOP8 19Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL 7Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
5 703Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1


AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
23 660Oczekiwane: 21.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
14 300Oczekiwane: 21.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Alliance Memory DRAM 128M 8Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
490Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
200Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000