GaN Półprzewodniki

Wyniki: 801
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1 300
Wielokr.: 1 300
: 1 300

Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Mini-Circuits RF Amplifier SMT MMIC, Low Noise, Linear, pHEMT Amplifier, 500 MHz to 2500 MHz, 50ohm
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 500

CML Micro RF Amplifier 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500
: 500
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1 200
Wielokr.: 1 200

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 240mohm GaN FET in DPAK
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in DPAK
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

STMicroelectronics Gate Drivers 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1 560
Wielokr.: 1 560

STMicroelectronics Gate Drivers High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1 560
Wielokr.: 1 560

STMicroelectronics Gate Drivers 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1 560
Wielokr.: 1 560

STMicroelectronics Gate Drivers High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000