SiC Półprzewodniki

Wyniki: 2 063
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC 301Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial 644Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

onsemi SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO263-7 646Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC 787Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi IGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A 35Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02 4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TOLL 650V 1 364Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000


onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART 181Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi SiC MOSFETs 1200V/16MOSICFETG3TO24 205Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET Modules 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC 1 201Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

onsemi IGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A 27Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies MOSFET Modules EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology 34Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies MOSFET Modules EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology 16Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies MOSFET Modules EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology 23Na stanie magazynowym
24Oczekiwane: 03.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies MOSFET Modules EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology 30Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies MOSFET Modules EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology 15Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1



Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 753Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver 529Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 1.2KV 55A N-CH SIC 61Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC 150Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1



Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 861Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Infineon Technologies Diode Modules 1200 V, 20 A EasyBRIDGE diode module 18Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1 019Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Texas Instruments Gate Drivers Isolated switch driv er with 17V gate su 756Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 25
: 1 000