TO-3P Elementy dyskretne półprzewodnikowe

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 62
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Karta charakterystyki
712Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
Toshiba MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
Karta charakterystyki
2 986Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics Triacs 25A High Volt Triac 1200V 150mA IGT
Karta charakterystyki
555Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Triacs Through Hole TO-3P
STMicroelectronics Triacs 40 A 1200 Volt
Karta charakterystyki
540Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Triacs Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
Karta charakterystyki
464Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
Karta charakterystyki
613Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Karta charakterystyki
287Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFETs TO3P 250V 120A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
Littelfuse Schottky Diodes & Rectifiers 120 Amps 150V
Karta charakterystyki
1 770Oczekiwane: 29.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
Karta charakterystyki
199Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 25.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
Littelfuse Schottky Diodes & Rectifiers 50 Amps 100V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 1 800
Wielokr.: 30

Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFETs TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFETs TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Rectifiers 50ns, 16A, 50V, High Efficient Recovery Rectifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 900
Wielokr.: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Rectifiers 50ns, 16A, 100V, High Efficient Recovery Rectifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 900
Wielokr.: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Rectifiers 50ns, 16A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 900
Wielokr.: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Rectifiers 50ns, 30A, 50V, High Efficient Recovery Rectifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 900
Wielokr.: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Rectifiers 50ns, 30A, 100V, High Efficient Recovery Rectifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 900
Wielokr.: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Rectifiers 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 900
Wielokr.: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 20A, 35V, Schottky Rectifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 900
Wielokr.: 900

Schottky Diodes & Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 20A, 50V, Schottky Rectifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 900
Wielokr.: 900

Schottky Diodes & Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 20A, 90V, Schottky Rectifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 900
Wielokr.: 900

Schottky Diodes & Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 30A, 35V, Schottky Rectifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 900
Wielokr.: 900

Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-3P