TO-247-3 Półprzewodniki

Rodzaje półprzewodników
Zmień widok kategorii
Wyniki: 2 176
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
Karta charakterystyki
278Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 50

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Karta charakterystyki
248Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 12.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Vishay Semiconductors SCRs NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248
Karta charakterystyki
1 437Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Central Semiconductor SiC MOSFETs 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Karta charakterystyki
27Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
APC-E SiC Schottky Diodes 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
254Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

APC-E SiC MOSFETs 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Wolfspeed SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x20A
Karta charakterystyki
838Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
Karta charakterystyki
14 174Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

APC-E SiC Schottky Diodes 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
274Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL POWER SIC
Karta charakterystyki
697Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IXYS IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
Karta charakterystyki
74Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 09.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

APC-E SiC Schottky Diodes 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
281Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL POWER SIC
Karta charakterystyki
512Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 160Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


Littelfuse Schottky Diodes & Rectifiers 2x 20A 100V Rectifier
Karta charakterystyki
7 965Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Karta charakterystyki
7 871Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


IXYS MOSFETs MOSFET
Karta charakterystyki
1 148Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
Karta charakterystyki
1 397Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
Karta charakterystyki
1 256Na stanie magazynowym
150Oczekiwane: 29.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
389Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Wolfspeed SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Karta charakterystyki
1 492Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-3
Karta charakterystyki
663Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
1 122Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
636Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 600V 30A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 680Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1