6 GHz Półprzewodniki

Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 5Na stanie magazynowym
1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 5Na stanie magazynowym
1 200Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 200

Skyworks Solutions, Inc. PIN Diodes Ls=.7nH SC-79 Single 64Na stanie magazynowym
249 000Oczekiwane: 07.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
400Oczekiwane: 16.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
567Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Skyworks Solutions, Inc. PIN Diodes .45pF -40C +150C Thrshld Lvl +12 dBm
112 639Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000


Skyworks Solutions, Inc. PIN Diodes Anti-parallel PIN Diode Limiter
36 010Oczekiwane: 23.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Skyworks Solutions, Inc. PIN Diodes Ls=.45nH SOD-882 Single
19 360Oczekiwane: 30.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Qorvo GaN FETs 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
40Oczekiwane: 20.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

MACOM GaN FETs 10W, 4.0GHz, 830120P, GaN HEMT, PILL
117Oczekiwane: 17.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Skyworks Solutions, Inc. PIN Diodes .33pF -40C +150C Thrshld Lvl +9 dBm
1 218Oczekiwane: 16.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies BAR 64-02V H6327
Infineon Technologies PIN Diodes RF DIODE 1 595Na stanie magazynowym
26Oczekiwane: 10.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100


MACOM PIN Diodes Vr=500VDC Rs=.45 Ohm Cj=.35pF Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100
MACOM PIN Diodes 1-6000MHz .32pF -55C +125C Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

MACOM GaN FETs GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 80
Wielokr.: 80

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 10

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 10

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
40Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
10Na stanie magazynowym
Min.: 10
Wielokr.: 10

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 40
Wielokr.: 10

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10