933 MHz Półprzewodniki

Rodzaje półprzewodników

Zmień widok kategorii
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial 210Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-96 166Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Micron DRAM DDR3 2Gbit 16 96/144FBGA 1 AT 1 058Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

Micron DRAM DDR3 4Gbit 8 78/117TFBGA 1 CT 6 090Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

Micron DRAM DDR3 4G 512MX8 FBGA 2 973Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100
: 2 000

Micron DRAM DDR3 4G 512MX8 FBGA 1 832Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100
: 2 000

Micron DRAM DDR3 4G 256MX16 FBGA 4 001Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 08.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100
: 2 000

Micron DRAM DDR3 4Gbit 16 96/144TFBGA 1 UT 1 074Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

Micron DRAM DDR3 8Gbit 16 96/144TFBGA 2 IT 1 156Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 256MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial 210Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Alliance Memory DRAM DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ COMMERCIAL TEMP , C Die(MT41K512M16HA-125:A) 53Na stanie magazynowym
132Oczekiwane: 27.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT 473Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 170Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Micron MT52L256M64D2LZ-107 WT:B
Micron DRAM LPDDR3 16Gbit 64 216/841 WFBGA 2 WT 1 005Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

Micron DRAM DDR3 2Gbit 16 96/144FBGA 1 CT 288Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

Micron DRAM DDR3 2G 128MX16 FBGA 603Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100
: 2 000

Micron DRAM DDR3 2Gbit 16 96/144FBGA 1 IT 949Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

Micron DRAM DDR3 1Gbit 16 96/144TFBGA 1 CT 2 288Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

Micron DRAM DDR3 1Gbit 16 96/144TFBGA 1 IT 1 703Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

Micron DRAM DDR3 4Gbit 8 78/117TFBGA 1 IT 655Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

Micron DRAM DDR3 4Gbit 16 96/144TFBGA 1 AT 619Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

Winbond DRAM 4Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz 122Na stanie magazynowym
69Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp 383Na stanie magazynowym
190Oczekiwane: 10.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp 858Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS 113Na stanie magazynowym
190Oczekiwane: 24.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1