Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

NSS12100UW3TCG

Name: onsemi NSS12100UW3TCG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS12100UW3TCG
Price: 3.39 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NSS12100UW3TCG

Nr prod.:

NSS12100UW3TCG

Produc.:

onsemi

Opis:

Bipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3

Karta charakterystyki:

NSS12100UW3TCG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NSS12100UW3TCG

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	WDFN3
Polaryzacja tranzystora:	PNP
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	1 A
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	12 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	12 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	5 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	400 mV
Pd – strata mocy:	1.1 W
Wzmacniacze GBP fT:	200 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	NSS12100UW
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	9,300 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NSS12100UW3TCG Karta charakterystyki

PCN

SPICE Models

Kody zgodności

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Malezja
Kraj montażu:: Malezja
Kraj wytworzenia:: Malezja

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Low Vce(sat) Bipolar Junction Transistors

Family of Vce(sat) BJT devices feature low-saturation voltage and high-current gain.

e2PowerEdge Low VCE(sat) Transistors

onsemi e2PowerEdge Low V_CE(sat) Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra-low saturation voltage (V_CE(sat)) and high current gain capability. These are designed for low-voltage, high-speed switching applications where affordable, efficient energy control is essential. Typical applications are DC−DC converters and power management in portable and battery-powered products such as cellular and cordless phones, PDAs, computers, printers, digital cameras, and MP3 players. Other applications are low-voltage motor controls in mass storage products such as disc and tape drives. These can be used for airbag deployment and instrument clusters in the automotive industry. The high current gain allows onsemi e2PowerEdge devices to be driven directly from PMU’s control outputs, and the linear gain (Beta) makes them ideal components in analog amplifiers.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI

NST807 General Purpose PNP Transistors

High performance, reliable transistors with a low saturation voltage and fast switching speeds

Dowiedz się więcej

NST817 General Purpose NPN Transistors

A reliable solution for circuit designs requiring efficient and effective transistor operation.

Dowiedz się więcej

NSVT5551M Bipolar Transistor

AEC-Q101 qualified, NPN general-purpose low V_CE(sat) amplifier.

Dowiedz się więcej

Tranzystory ogólnego zastosowania o niskim VCE(sat) NSS100xCL

High-performance bipolar junction transistors designed for automotive and demanding applications.

Dowiedz się więcej

MJD31C Bipolar Transistors

Designed for general-purpose amplifiers and low-speed switching applications.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 4 255

Stany magazynowe:: 4 255 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 32 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	3,39 zł	3,39 zł
	2,11 zł	21,10 zł
	1,37 zł	137,00 zł
	1,05 zł	525,00 zł
	0,945 zł	945,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,769 zł	2 307,00 zł
	0,706 zł	4 236,00 zł
	0,659 zł	15 816,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

NSS12100UW3TCG

Produc.: onsemi

Opis: Bipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3

Specyfikacja

Dokumenty (7)

Karta charakterystyki

PCN

SPICE Models

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

Low Vce(sat) Bipolar Junction Transistors

e2PowerEdge Low VCE(sat) Transistors

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY ONSEMI

Na stanie magazynowym: 4 255

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

onsemi

Opis:

Bipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI