HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Wyniki: 720
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
IXYS MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
Karta charakterystyki
88Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 250 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 205 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A
Karta charakterystyki
186Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 195 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
Karta charakterystyki
169Na stanie magazynowym
125Oczekiwane: 10.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 525 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
Karta charakterystyki
394Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 420 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 670 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 44A
Karta charakterystyki
483Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 44 Amps 800V
Karta charakterystyki
118Na stanie magazynowym
200Oczekiwane: 16.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 198 nC - 55 C + 150 C 1.2 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Karta charakterystyki
371Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 64A
Karta charakterystyki
413Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
Karta charakterystyki
284Na stanie magazynowym
475Oczekiwane: 16.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
Karta charakterystyki
185Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.50 Rds
Karta charakterystyki
479Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
419Na stanie magazynowym
1 450Oczekiwane: 01.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Karta charakterystyki
1 133Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A
Karta charakterystyki
169Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 50 A 72 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO268 300V 100A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
151Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 100 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO268 250V 120A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
932Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO268 300V 150A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
188Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 177 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
Karta charakterystyki
528Na stanie magazynowym
510Oczekiwane: 22.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 75 V 340 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/80A TO-268HV
Karta charakterystyki
331Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
Karta charakterystyki
120Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
Karta charakterystyki
154Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 160A 300V
Karta charakterystyki
128Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 160 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 335 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 230A 200V
Karta charakterystyki
370Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
Karta charakterystyki
180Na stanie magazynowym
120Oczekiwane: 10.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Karta charakterystyki
409Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 360 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 715 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube