HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Wyniki: 720
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
IXYS MOSFETs TO263 250V 30A N-CH HIPER
Karta charakterystyki
547Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 175V 150A
Karta charakterystyki
295Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 175 V 150 A 12 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 233 nC - 55 C + 175 C 880 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Rds
Karta charakterystyki
368Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 198 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 200V 220A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
180Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 204 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Trench HiperFET Power MOSFET
Karta charakterystyki
299Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
Karta charakterystyki
244Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds
Karta charakterystyki
355Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 70 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
661Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
239Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 137 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
Karta charakterystyki
390Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 30A
Karta charakterystyki
1 733Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A
Karta charakterystyki
1 197Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 75 V 520 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 545 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 600V 64A
Karta charakterystyki
370Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
974Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds
Karta charakterystyki
170Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 700 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 26 Amps 1200V 1 Rds
Karta charakterystyki
636Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 193 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
Karta charakterystyki
831Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 525 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Karta charakterystyki
837Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 94 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
Karta charakterystyki
424Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube

IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Karta charakterystyki
297Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Karta charakterystyki
396Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 26 Amps 1200V
Karta charakterystyki
265Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 32 Amps 1000V 0.32 Rds
Karta charakterystyki
333Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 225 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 16A
Karta charakterystyki
1 727Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Karta charakterystyki
739Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube