Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTPF360N80S3Z

Name: onsemi NTPF360N80S3Z
Brand: onsemi
SKU: 863-NTPF360N80S3Z
Price: 16.73 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTPF360N80S3Z

Nr prod.:

NTPF360N80S3Z

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs SF3 800V 360MOHM TO-220F

Karta charakterystyki:

NTPF360N80S3Z Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTPF360N80S3Z

Na stanie magazynowym: 736

Stany magazynowe:: 736 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 22 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 736 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	16,73 zł	16,73 zł
	8,60 zł	86,00 zł
	6,75 zł	675,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	800 V
Id – Ciągły prąd drenu:	13 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	360 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.8 V
Qg – ładunek bramki:	25.3 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	31 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	NTPF360N80S3Z
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTPF360N80S3Z Karta charakterystyki

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTPF360N80S3Z N-Channel SUPERFET® III MOSFET

onsemi NTPF360N80S3Z N-Channel SUPERFET® III is a high-performance power MOSFET with an 800V breakdown voltage. This SUPERFET is optimized for the primary switch of a flyback converter and enables lower switching losses and case temperature without sacrificing EMI performance. onsemi NTPF360N80S3Z SUPERFET comes with an internal Zener diode that significantly improves the electrostatic discharge (ESD) capability. Typical applications include adapters/chargers, LED lighting, AUX power, audio, and industrial power.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.