RFUH25NS3S Fast Recovery Diodes

ROHM Semiconductor RFUH25NS3S Fast Recovery Diodes feature ultra-low switching loss and high current overload capacity. These recovery diodes include silicon epitaxial planar-type construction. The RFUH25NS3S recovery diodes offer 350V repetitive peak reverse voltage, 10μA reverse current, and 100A forward current surge peak. These recovery diodes operate at 1.45V maximum forward voltage and stored at -55°C to 150°C temperature range. The RFUH25NS3S super fast recovery diodes are ideal for use in general rectification.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Vr – napięcie wsteczne
If – prąd przewodzenia diody
Rodzaj
Konfiguracja
Vf – Napięcie przewodzenia
Max. udar prądowy
Ir – Prąd wsteczny
Czas regeneracji
Maksymalna temperatura robocza
Kwalifikacje
Opakowanie
ROHM Semiconductor Rectifiers RFU 600V
Karta charakterystyki
1 574Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263S-3 350 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.45 V 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Rectifiers RECT 430V 20A SM SUPER FST
Karta charakterystyki
1 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263S-3 430 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.7 V 100 A 10 uA 25 ns + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Rectifiers RECT 350V 20A SM SUPER FST
Karta charakterystyki
980Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263S-3 350 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.45 V 100 A 10 uA 30 ns + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape