Tranzystory MOSFET na bazie węglika krzemu (SiC) SICWx

Tranzystory MOSFET na bazie węglika krzemu (SiC) SICWx firmy Micro Commercial Components (MCC) to szybkie przełączające tranzystory MOSFET 650 V SiC. Wykorzystują technologię MOSFET SiC i dobrze nadają się do zastosowań wysokonapięciowych, działając niezawodnie w trudnych warunkach przemysłowych. Tranzystory MOSFET SICWx charakteryzują się niską rezystancją RDS(on) i niskim ładunkiem bramki, co zmniejsza straty przełączania i przyczynia się do wyższej ogólnej wydajności systemu. Konstrukcja zwiększająca wydajność i obudowa TO-247 gwarantują znakomite parametry termiczne, a opcje 3- lub 4-stykowe (pin ze źródłem Kelvina) dodatkowo poprawiają wszechstronność urządzenia. Tranzystory MOSFET SICWx cechują się solidną konstrukcją i odpornością na korozję, co zapewnia lepsze zarządzanie temperaturą i wyższą wydajność. Nadają się idealnie do stosowania w zasilaczach, telekomunikacji, systemach energii odnawialnej i napędach silnikowych.

Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4 360Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB 177Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB 336Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4 355Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB 337Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4 360Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement