Tranzystory MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

Tranzystory MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1 firmy onsemi to moduły zasilania z pełnym mostkiem i termistorem w obudowie F1. Te tranzystory MOSFET są wyposażone w termistory i styki wciskane.  Moduły NXH0x0F120MNF1 występują zarówno w wersji z nałożonym materiałem termoprzewodzącym (TIM), jak i bez niego. Moduły te nadają się idealnie do stosowania w falownikach fotowoltaicznych, zasilaczach awaryjnych, stacjach ładowania pojazdów elektrycznych oraz w energetyce przemysłowej. Moduły NXH0x0F120MNF1 nie zawierają związków ołowiu i halogenków oraz są zgodne z dyrektywą RoHS. Moduły te charakteryzują się zakresem temperatur przechowywania od -40°C do 150°C oraz zakresem temperatur złącza roboczego od -40°C do 175°C. 

Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Seria Opakowanie
onsemi NXH007F120M3F2PTHG
onsemi MOSFET Modules 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE 23Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 149 A - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 353 W NXH007F120M3F2PTHG Tray
onsemi NXH011F120M3F2PTHG
onsemi MOSFET Modules 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE 12Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 244 W NXH011F120M3F2PTHG Tray

onsemi MOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM 28Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM 28Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC NXH040F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET 28Dostępne z magazynu fabrycznego
Min.: 28
Wielokr.: 28
SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET 28Dostępne z magazynu fabrycznego
Min.: 28
Wielokr.: 28
SiC NXH040F120MNF1 Tray