Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVMFWS003N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS003N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS003N10MCT1G
Price: 15.7 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-VMFWS003N10MCT1G

Nr prod.:

NVMFWS003N10MCT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 3.1mohm, 169A

Karta charakterystyki:

NVMFWS003N10MCT1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVMFWS003N10MCT1G

Na stanie magazynowym: 3 030

Stany magazynowe:: 3 030 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	15,70 zł	15,70 zł
	10,32 zł	103,20 zł
	7,27 zł	727,00 zł
	6,67 zł	3 335,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	5,81 zł	8 715,00 zł
	5,63 zł	50 670,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFNW-5
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	169 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	62 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	194 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	14 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	150 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	15 ns
Seria:	NVMFWS003N10MC
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	46 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	28 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVMFWS003N10MCT1G Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMFWS003N10MC Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS003N10MC Single N-Channel Power MOSFETs offer a 169A continuous drain current, 3.1mΩ at 10V R_DS(ON), and 100V drain-to-source voltage. The NVMFWS002N10MCL is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.