Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SISH892BDN-T1-GE3

Name: Vishay SISH892BDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISH892BDN-T1-GE3
Price: 4.69 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SISH892BDN-T1-GE3

Nr prod.:

SISH892BDN-T1-GE3

Produc.:

Vishay / Siliconix

Opis:

MOSFETs PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

Karta charakterystyki:

SISH892BDN-T1-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SISH892BDN-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 34 149

Stany magazynowe:: 34 149 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	4,69 zł	4,69 zł
	2,96 zł	29,60 zł
	1,96 zł	196,00 zł
	1,52 zł	760,00 zł
	1,38 zł	1 380,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,20 zł	3 600,00 zł
	1,15 zł	6 900,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK-1212-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	20 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	30.4 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.4 V
Qg – ładunek bramki:	17.4 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	29 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay / Siliconix
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	33 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	5 ns
Seria:	SISH
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	19 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

SISH892BDN N-Channel 100V MOSFET

Vishay / Siliconix SISH892BDN N-Channel 100V MOSFET is a TrenchFET^® Gen IV power MOSFET featuring 100% R_g and UIS tested. The SISH892BDN MOSFET offers a 100V V_DS, 20A I_D, and 8nC Q_g. The Vishay / Siliconix SISH892BDN MOSFET is available in a PowerPAK® 1212-8SH package and has an operating junction and storage temperature range of -55°C to +150°C.