Tranzystory mocy MOSFET dostosowane do konkretnych zastosowań

Nexperia Application-Specific Power MOSFETs optimize parameters to match requirements. Nexperia combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range of application-specific MOSFETs.

Wyniki: 13
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Nexperia MOSFETs SOT8000 100V 460A 589Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 460 A 1.04 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 359 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8000 100V 430A 25Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.09 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs PSMN1R2-80ASE/SOT800 0A/CCPAK12 200Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs PSMN1R2-80CSE/SOT800 5A/CCPAK12 147Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs PSMN1R3-100ASF/SOT80 00A/CCPAK1 127Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 355 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs PSMN1R4-100ASE/SOT80 00A/CCPAK1 50Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.36 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs PSMN1R4-100CSE/SOT80 05A/CCPAK1 245Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs SOT8005 N-CH 80V 505 A 65Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 505 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 309 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs PSMN1R1-80ASF/SOT800 0A/CCPAK12 235Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 385 A 1.11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 242 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs PSMN1R1-80CSF/SOT800 5A/CCPAK12 216Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 385 A 1.16 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 242 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs PSMN1R4-100CSF/SOT80 05A/CCPAK1 246Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 355 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs SOT8000 N-CH 80V 505 A 3Na stanie magazynowym
1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 505 A 850 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 309 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8000 N-CH 80V 495A
2 955Oczekiwane: 11.06.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel