D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.

Wyniki: 34
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
Karta charakterystyki
375Na stanie magazynowym
350Oczekiwane: 26.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 1.6 A 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 23.7 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 22.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 15.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
Karta charakterystyki
280Oczekiwane: 26.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 16 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 208 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
Karta charakterystyki
810Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs 1700V 2A
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 29.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs TO263 1KV 1A N-CH DEPL
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 07.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 26.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 54 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 1.6 A 2.3 Ohms Tube