3300V SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs offer fast and efficient switching with reduced ringing in an optimized package with a separate driver source pin. The 3300V SiC MOSFETs are designed to be compatible with commercial gate drivers and provide ease of paralleling without a thermal runaway. GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs deliver low conduction losses at all temperatures, allowing superior robustness and system reliability.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET 756Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SiC MOSFETS SiC
GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Karta charakterystyki
120Oczekiwane: 21.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2