Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Wolfspeed MOSFET Modules SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 13.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed MOSFET Modules SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 13.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed MOSFET Modules SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 27.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed MOSFET Modules SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Karta charakterystyki
300Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C