TM Single Switch Power Modules

Wolfspeed TM Single Switch Power Modules address a broad range of inverter power levels. These devices are automotive-qualified single-switch power modules in an industry-standard footprint designed for high reliability and broad inverter system scalability, and extended creepage. The TM platform switches fast and clean to deliver high efficiency. Sinterable or solderable backsides and laser-weldable power terminals optimize the platform for automated inverter assembly. Available in various current ratings up to 1200V/320A and 650V/440A, the TM meets the AQG 324 automotive power module standard. The Wolfspeed TM platform offers an extended operating junction temperature of 200°C for up to 100h over device lifetime.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Wolfspeed MOSFET Modules SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed MOSFET Modules SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed MOSFET Modules SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed MOSFET Modules SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C