Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NSVMSD1819A-RT1G

Name: onsemi NSVMSD1819A-RT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMSD1819A-RT1G
Price: 0.99 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NSVMSD1819A-RT1G

Nr prod.:

NSVMSD1819A-RT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 50V

Karta charakterystyki:

NSVMSD1819A-RT1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NSVMSD1819A-RT1G

Na stanie magazynowym: 11 376

Stany magazynowe:: 11 376 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 31 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	0,998 zł	1,00 zł
	0,869 zł	8,69 zł
	0,654 zł	65,40 zł
	0,404 zł	202,00 zł
	0,314 zł	314,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,185 zł	555,00 zł
	0,163 zł	978,00 zł
	0,138 zł	1 242,00 zł
	0,116 zł	2 784,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SC-70-3
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	200 mA
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	60 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	60 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	7 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	500 mV
Pd – strata mocy:	150 mW
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	MSD1819A-R
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Ciągły prąd kolektora:	100 mA
Wzmocnienie prądu DC hFE max.:	340
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NSVMSD1819A-RT1G Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

MSD1819A-R General Purpose & Low VCE Transistor

onsemi MSD1819A-R General Purpose and Low V_CE Transistor is designed for amplifier applications. This NPN transistor features a high current gain (h_FE) from 210 to 460 and a low V_CE <0.5V. The NPN transistor comes in the SC-70/SOT-323 package, designed for low-power surface mount applications. The silicon epitaxial planar transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. This low V_CE transistor is Pb and halogen/BFR-free. Typical applications include reverse battery protection, DC-DC converter output driver, and high-speed switching.