1EDB7275FXUMA1

Infineon Technologies
726-1EDB7275FXUMA1
1EDB7275FXUMA1

Produc.:

Opis:
Gate Drivers ISOLATED DRIVER

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 6 772

Stany magazynowe:
6 772
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
5 000
Oczekiwane: 02.07.2026
Średni czas produkcji:
39
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
6,62 zł 6,62 zł
4,86 zł 48,60 zł
4,39 zł 109,75 zł
3,92 zł 392,00 zł
3,66 zł 915,00 zł
2,94 zł 1 470,00 zł
2,73 zł 2 730,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
2,64 zł 6 600,00 zł
2,61 zł 19 575,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
SMD/SMT
1 Driver
1 Output
9.8 A
3 V
15 V
8.3 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Infineon Technologies
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Nazwa handlowa: EiceDRIVER
Nazwy umowne nr części: 1EDB7275F SP005351350
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

EiceDRIVER™ Isolated & Non-Isolated Gate Drivers

Infineon EiceDRIVER™ Isolated and Non-Isolated Gate Drivers provide optimized low- and high-voltage gate driver solutions for MOSFETs, IGBTs, and IGBT modules. These isolated and non-isolated gate driver ICs are designed to build reliable and efficient applications. An optimum gate drive configuration is essential for all power switches, whether they are in discrete form or in a power module. Infineon gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A, suitable for any power device size.

Tranzystory HEMT CoolGaN™ na bazie azotku galu

Tranzystory HEMT CoolGaN™ na bazie azotku galu firmy Infineon oferują w porównaniu do rozwiązań krzemowych takie doskonałe korzyści, jak maksymalna wydajność, niezawodność, gęstość mocy i najwyższa jakość. Tranzystory CoolGaN zbudowano z wykorzystaniem najbardziej niezawodnej technologii oraz zaprojektowano pod kątem uzyskania najwyższej wydajności i gęstości mocy w zasilaczach impulsowych. Urządzenia pracują podobnie jak konwencjonalne tranzystory krzemowe MOSFET, ale z rozszerzonym trybem sterowania bramką dzięki zastosowaniu azotku galu.

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.