Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVHL080N120SC1A

Name: onsemi NVHL080N120SC1A
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL080N120SC1A
Price: 39.13 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVHL080N120SC1A

Nr prod.:

NVHL080N120SC1A

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

Karta charakterystyki:

NVHL080N120SC1A Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVHL080N120SC1A

Dostępność

Stany magazynowe:: Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

1 Termin wysyłki - 20 dzień/dni

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	39,13 zł	39,13 zł
	23,48 zł	234,80 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
REACH - SVHC:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	31 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	110 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 15 V, + 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.3 V
Qg – ładunek bramki:	56 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	178 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	10 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	13 S
Opakowanie:	Tube
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	20 ns
Seria:	NVHL080N120SC1A
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	22 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	13 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVHL080N120SC1A Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs provide superior switching performance and high reliability compared to silicon. These MOSFETs offer low on-resistance that ensures low capacitance and gate charge. The 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits, including high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs feature blocking voltage, high-speed switching, and low capacitance and operate at -55°C to +175°C temperature range. The 1200V SiC MOSFETs are AEC-Q101 automotive qualified and are RoHS compliant. These MOSFETs are suited for boost inverters, charging stations, DC-DC inverters, DC-DC converters, onboard chargers (OBCs), motor control, industrial power supplies, and server power supplies.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) N-Channel MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) N-Channel MOSFETs are 1200V, 80mΩ MOSFETs that provide superior switching performance and high reliability. These MOSFETs offer low ON resistance and come in compact chip sizes, ensuring low capacitance and gate charge. The EliteSiC N-Channel MOSFETs feature high efficiency, fast operation frequency, high-speed switching, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs come in TO247-3L/TO247-3LD packages. The NVHL080N120SC1 and NVHL080N120SC1A MOSFETs are qualified for automotive according to AEC-Q101 grade certification.