Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMFS3D0N08XT1G

Name: onsemi NTMFS3D0N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D0N08XT1G
Price: 9.89 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMFS3D0N08XT1G

Nr prod.:

NTMFS3D0N08XT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Karta charakterystyki:

NTMFS3D0N08XT1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMFS3D0N08XT1G

Na stanie magazynowym: 98

Stany magazynowe:: 98

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 9 000

Oczekiwane: 23.10.2026
Średni czas produkcji:: 32

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	9,89 zł	9,89 zł
	6,32 zł	63,20 zł
	4,29 zł	429,00 zł
	3,58 zł	1 790,00 zł
	3,00 zł	3 000,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	3,00 zł	4 500,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SO-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	154 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.6 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.6 V
Qg – ładunek bramki:	28 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	133 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	6 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	115 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	8 ns
Seria:	NTMFS3D0N08X
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	35 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	24 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMFS3D0N08XT1G Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification 2025-2-27 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Technologia PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTMFS3D0N08X Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS3D0N08X Single N-Channel Power MOSFET is an 80V T10 standard gate MOSFET ideal for Cloud power, 5G Telecom, and other PSU applications, as well as DC/DC and industrial applications. NTMFS3D0N08X provides better performance with improved system efficiency and high power density with below-performance features. This MOSFET provides improved overall efficiency, improved switching losses, reduced ringing/overshoot/noise, and improved Avalanche ruggedness in fast-switching applications.