Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie
onsemi MOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
Karta charakterystyki
26Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 105 A 14.5 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 150 C 272 W Tray
onsemi MOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
Karta charakterystyki
24Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 105 A 14.5 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 150 C 272 W NXH010P120M3F1PTG Tray