Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
Vishay Semiconductors MOSFETs Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
Karta charakterystyki
3 012Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 100 A 2.9 mOhms, 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Karta charakterystyki
1 074Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 100 A 3.4 mOhms, 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified 1 779Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 160 A 3.6 mOhms, 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel