Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMJS1D5N04CLTWG

Name: onsemi NTMJS1D5N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMJS1D5N04CLTWG
Price: 9.16 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMJS1D5N04CLTWG

Nr prod.:

NTMJS1D5N04CLTWG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel

Karta charakterystyki:

NTMJS1D5N04CLTWG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMJS1D5N04CLTWG

Na stanie magazynowym: 3 000

Stany magazynowe:: 3 000 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 22 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 3000 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	9,16 zł	9,16 zł
	5,93 zł	59,30 zł
	4,07 zł	407,00 zł
	3,24 zł	1 620,00 zł
	3,20 zł	3 200,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	2,72 zł	8 160,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	LFPAK-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	200 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.2 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	70 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	110 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	9 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	256 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	140 ns
Seria:	NTMJS1D5N04CL
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	31 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15 ns
Jednostka masy:	99,445 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMJS1D5N04CLTWG Karta charakterystyki

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

NTMJS1D5N04CL 40V Industrial Power MOSFET

onsemi NTMJS1D5N04CL 40V Industrial Power MOSFET features a small 5mm x 6mm footprint, low R_DS(on), low Gate Charge (Q_G), and low capacitance. The low R_DS(on) value helps to minimize conduction losses while the low Q_G and low capacitance minimize driver losses. This single N-channel power MOSFET is Pb-free, RoHS-compliant, and features a -55°C to +175°C operating temperature range.