Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVMYS4D5N04CTWG

Name: onsemi NVMYS4D5N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS4D5N04CTWG
Price: 6.19 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVMYS4D5N04CTWG

Nr prod.:

NVMYS4D5N04CTWG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs T6 40V SL LFPAK

Karta charakterystyki:

NVMYS4D5N04CTWG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVMYS4D5N04CTWG

Na stanie magazynowym: 2 939

Stany magazynowe:: 2 939 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 19 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6,19 zł	6,19 zł
	3,96 zł	39,60 zł
	2,63 zł	263,00 zł
	2,08 zł	1 040,00 zł
	1,90 zł	1 900,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,74 zł	5 220,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	LFPAK-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	80 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	4.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.5 V
Qg – ładunek bramki:	18 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	55 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	8 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	57 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	80 ns
Seria:	NVMYS4D5N04C
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	26 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVMYS4D5N04CTWG Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMYS4D5N04C Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMYS4D5N04C Single N-Channel Power MOSFETs are engineered for automotive applications and encased in a 5mm x 6mm LFPAK package. The onsemi NVMYS4D5N04C facilitates compact and efficient designs while ensuring high thermal performance. The MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications that demand enhanced board-level reliability.