IXFH60N65X2-4 & IXFH80N65X2-4 X2-Class MOSFETs

IXYS IXFH60N65X2-4 and IXFH80N65X2-4 X2-Class Discrete MOSFETs offer low drain-source resistance (38mΩ or 52mΩ) and low gate charge in an avalanche-rated international standard package. The IXYS IXFH60N65X2-4 and IXFH80N65X2-4 X2-Class Discrete MOSFETs also feature low package inductance and a 650V drain-source breakdown voltage. Applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, and more.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
IXYS MOSFETs 650V/80A TO-247-4L
Karta charakterystyki
509Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/60A TO-247-4L
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube