RAA226110 Low-Side Drivers

Renesas Electronics RAA226110 Low-Side Drivers is designed to drive enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs in isolated and non-isolated topologies. The RAA226110 operates with a supply voltage from 6.5V to 18V. It has inverting (INB) and non-inverting (IN) inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drives with a single device.

Nie znaleziono wyników.
Spróbuj zmodyfikować szukany termin poniżej lub odwiedź nasze Centrum pomocy.
Sugestie wyszukiwania
  • Sprawdzić pisownię numeru części lub słów kluczowych
  • Użyj mniejszej liczby słów kluczowych lub użyj innych słów
  • Wyszukiwanie jednorazowo 1 części
  • Zastosuj jednorazowo jeden filtr
Produkty i producenci
Masz dodatkowe pytania?