Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Maksymalny prąd DC kolektora
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie kolektor-baza VCBO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Wzmacniacze GBP fT
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie

Toshiba Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -0.15A -50V
Karta charakterystyki
16 235Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP Single 150 mA 50 V 50 V 5 V 220 mV 320 mW 80 MHz + 150 C TBC8X7 Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Bipolar Transistors - BJT BJT NPN 0.15A 50V
Karta charakterystyki
22 600Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN Single 150 mA 50 V 60 V 6 V 170 mV 320 mW 100 MHz + 150 C TBC8X7 Reel, Cut Tape, MouseReel