MSCSM170HM12CAG

Microchip Technology
579-MSCSM170HM12CAG
MSCSM170HM12CAG

Produc.:

Opis:
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
2 736,82 zł 2 736,82 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Microchip
Kategoria produktów: Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
Marka: Microchip Technology
Rodzaj produktu: Discrete Semiconductor Modules
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Discrete Semiconductor Modules
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

ECCN:
EAR99

MSCSM170HM12CAG High Voltage Power Modules

Microchip Technology MSCSM170HM12CAG High Voltage Power Modules are SiC power MOSFETs with a Kelvin source for easy drive. The modules feature low stray inductance, and outstanding performance at high-frequency operation. These devices have stable temperature behavior with direct mounting to the heatsink (isolated package).