NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules are 1200V, 80mΩ 3-phase bridge power modules housed in a Dual Inline Package (DIP). These SiC modules are compactly designed to have low total module resistance. The NVXK2VR80WxT2 power modules are automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. These power modules are lead-free and ROHS, UL94V-0 compliant. The NVXK2VR80WxT2 SiC modules' temperature sensing and the lowest thermal resistance make them ideal for PFC onboard chargers in xEV applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie
onsemi MOSFET Modules APM32 SIC POWER MODULE
Karta charakterystyki
60Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 20 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 82 W NVXK2VR80WDT2 Tube
onsemi MOSFET Modules APM32 SIC POWER MODULE
Karta charakterystyki
44Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 31 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 208 W NVXK2VR80WXT2 Tube