NVMFD6H846NL Dual N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFD6H846NL Dual N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This onsemi MOSFET features low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG/capacitance to minimize driver losses. The NVMFD6H846NL MOSFET offers a small footprint with 5mm x 6mm dimensions. This MOSFET is AEC-Q101 Qualified and PPAP capable. Typical applications include reverse battery protection, power switches (high-side driver, low-side driver, and H-bridges), and switching power supplies.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
onsemi MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
Karta charakterystyki
985Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 31 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
Karta charakterystyki
555Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape